EngУкр
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9
Fields and elementary particles / Поля та елементарні частинки
1
Exact Mathisson−Papapetrou Equations in the Schwarzschild Metric with Integrals of Motion
Plyatsko R.M., Stefanyshyn O.B.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.869-879
Точні рівняння Матісона−Папапетру для метрики Шварцшильда з використанням інтегралів руху
Пляцко Р.М., Стефанишин О.Б.
Soft matter / М'яка речовина
2
Electrical Friedericksz Transition in a Nematic Cell with Periodic Polar Anchoring Energy
Ledney M.F., Tarnavskyy O.S.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.880-886
Електричний перехід Фредерікса в нематичній комірці з періодичною полярною енергією зчеплення
Ледней М.Ф., Тарнавський О.С.
3
Vibrational Spectrum of p-Amyloxybenzylidene-p-Toluidine in the Crystalline Phase
Pogorelov V.Ye., Bukalo V.P., Zhovtobriukh I.M.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.887-892
Коливальний спектр р-амілоксібензиліден-р-толуідіну в кристалічній фазі
Погорелов В.Є., Букало В.П., Жовтобрюх Ю.М.
4
Specific Features of Motion of Cations and Anions in Electrolyte Solutions
Bulavin L.A., Zhyganiuk I.V., Malomuzh M.P., Pankratov K.M.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.893-901
Особливості руху катіонів і аніонів в розчинах електролітів
Булавін Л.А., Жиганюк І.В., Маломуж М.П., Панкратов К.М.
Solid matter / Тверде тіло
5
Analytical and Numerical Calculations of Photoconductivity in Porous Silicon
Monastyrskii L.S., Sokolovskii B.S., Pavlyuk M.R.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.902-906
Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію
Монастирський Л.С., Соколовський Б.С., Павлик М.Р.
6
Research of Electronic Structure in NdVO3 and HoVO3 Oxides: X-ray Electron Spectrum and Ab Initio Calculation of Band Structure
Uvarov V.M., Uvarov M.V., Melnik M.P.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.907-916
Дослідження електронної будови оксидів NdVO3 і HoVO3: рентгеноелектронні спектри і зонний розрахунок
Уваров В.М., Уваров М.В., Мельник М.П.
7
Silicon p-MOS and n-MOS Transistors with Uniaxially Strained Channels in Electronic Device Nanotechnology
Gorin A.E., Gromova G.V., Ermakov V.M., Kogoutyuk P.P., Kolomoets V.V., Nasarchuk P.F., Panasjuk L.I., Fedosov S.A.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.917-921
Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів
Горін А.Є., Громова Г.В., Єрмаков В.М., Когутюк П.П., Коломоєць В.В., Назарчук П.Ф., Панасюк Л.І., Федосов С.А.
8
Mechanism of Annealing of VO Defects in n-Si Under Pulse Electron Irradiation at High-Temperatures
Kraitchinskii A.M., Kras’ko M.M., Kolosiuk A.G., Petrunya R.V., Povarchuk V.Yu., Voitovych V.V., Neimash V.B., Makara V.A., Rudenko R.M.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.922-928
Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
Крайчинський А.М., Красько М.М., Колосюк А.Г., Петруня Р.В., Поварчук В.Ю., Войтович В.В., Неймаш В.Б., Макара В.А., Руденко Р.М.
Nanosystems / Наносистеми
9
Void Formation and Collapse in Nanowires
Podolyan O.M., Zaporozhets T.V.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.929-939
Формування і стягування порожнин у нанодротах
Подолян О.М., Запорожець Т.В.
10
Effect of Interface Defect States on Photoelectric Properties of InxGa1-xAs/GaAs Heterostructures with Quantum Dots
Vakulenko O.V., Golovynskyi S.L., Kondratenko S.V., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.940-947
Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
Вакуленко О.В., Головинський С.Л., Кондратенко С.В., Maзур Ю.I., Ванг Ж.M., Саламo Г.Д.
General problems of theoretical physics / Загальні питання теоретичної фізики
11
Two-fermion Composite Quasi-bosons and Deformed Oscillators
Gavrilik A.M., Kachurik I.I., Mishchenko Yu.A.
Ukr. J. Phys. 2011, Vol. 56, N 9, p.948-954
Квазібозони, складені з двох ферміонів, та деформовані осцилятори
Гаврилик О.М., Качурик І.І., Міщенко Ю.А.
Chronicle, bibliographic data, and personalia / Хроніка, бібліографічна інформація, персоналії
12