EngУкр
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12
Atoms and molecules / Атоми і молекули
1
Deviation of C–H Chemical Bond in a Deformed Methane Molecule
Matyash O.V., Okhrimenko B.A.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1167-1172
Девіація хімичного зв'язку C–H деформованої молекули метану
Матяш О.В., Охріменко Б.А.
Optics, lasers, and quantum electronics / Оптика, лазери, квантова електроніка
2
Direct Observation of the Stages of Laser Breakdown in the Samples of Transparent Targets in the Temporal Range from Femto- to Nanoseconds
Blonskyi I.V., Kadan V.M., Shpotyuk O.I., Pavlov I.A.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1173-1178
Пряме спостереження етапів лазерного руйнування зразків прозорих мішеней у часовому діапазоні від фемто- до наносекунд
Блонський І.В., Кадан В.М., Шпотюк О.Й., Павлов І.А.
3
Polarization of Submillimeter Radiation Emitted by Hot Carriers in GaAs/InxGa1-xAs Heterostructures at Helium Temperatures
Tomchuk P.M., Bondar V.M., Gudenko Yu.M.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1179-1182
Поляризація субміліметрового випромінювання гарячих носіїв в гетероструктурах GaAs/InxGa1-xAs при гелієвих температурах
Томчук П.М., Бондар В.М., Гуденко Ю.М.
Soft matter / М'яка речовина
4
Cooperative Operation Mode of the Synaptic Channel
Vasilev A.N., Chalyi A.V.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1183-1188
Кооперативний режим роботи синаптичного каналу
Васильєв О.М., Чалий О.В.
Solid matter / Тверде тіло
5
Mechanism of Defect Formation in Heavily Y-Doped n-ZrNiSn. II. Electro-Transport Studies
Romaka V.A., Fruchart D., Romaka L.P., Horyn A.M., Bovgyra O.V., Krayovskyy R.V.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1189-1193
Механізм дефектоутворення у сильнолегованому атомами Y n-ZrNiSn. II. Електрокінетичні дослідження
Ромака В.А., Фрушарт Д., Ромака Л.П., Горинь А.М., Бовгира О.В., Крайовський Р.В.
6
Mechanism of Conductivity in n-ZrNiSn Intermetallic Semiconductor Doped with Yttrium Acceptor Impurity
Stadnyk Yu.V., Horyn A.M., Hlil E.K., Fruchart D., Gorelenko Yu.K., Romaka L.P.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1194-1198
Механізми провідності інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, легованого акцепторною домішкою Y
Стадник Ю., Горинь А., Хліл Е.К., Фрушарт Д., Гореленко Ю., Ромака Л.
7
Photoelectric Characteristics of Silicon Photosensitive Structures with Non-Ohmic Rear Constants
Gorban A.P., Kostylyov V.P., Sachenko A.V., Chernenko V.V.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1199-1207
Фотоелектричні характеристики кремнієвих фоточутливих структур з неомічними тиловими контактами
Горбань А.П., Костильов В.П., Саченко А.В., Черненко В.В.
8
Isobaric Thermal Conductivity of Crystalline Ethane (C2H6)
Pursky O.I.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1208-1211
Ізобарна теплопровідність кристалічного етану (C2H6)
Пурський О.І.
9
Anomalous-sign Photo-emf in Macroporous Silicon at Photon Energies Comparable to That of Indirect Band-to-band Transition
Onyshchenko V.F., Sachenko A.V., Karachevtseva L.A.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1212-1218
Фотоерс аномального знака в макропористому кремнії при енергіях фотонів, сумірних з енергією непрямого зона-зонного переходу
Онищенко В.Ф., Саченко А.В., Карачевцева Л.А.
10
Formation of a Nanolayer Oxide Film on the Mo(110) Surface
Osovskii V.D., Balakin D.Yu., Ptushinskii Yu.G.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1219-1224
Утворення наношарової плівки оксиду на поверхні Мо(110)
Осовський В.Д., Балакін Д.Ю., Птушинський Ю.Г.
Nanosystems / Наносистеми
11
Temperature Dependence of the Excitonic Transition Energy in Flat Semiconductor Nanofilms
Kramar V.M.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1225-1233
Температурна залежність енергії екситонного переходу у плоских напівпровідникових наноплівках
Крамар В.М.
12
Degradation of Luminescence Characteristics of CdZnSe/ZnSe Quantum Well Heterostructures under γ-Irradiation
Borkovska L.V., Korsunska N.O., Kushnirenko V.I., Venger Ye.F.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1234-1240
Деградація люмінесцентних характеристик гетероструктур CdZnSe/ZnSe із квантовими ямами під дією опромінення γ-квантами
Борковська Л.В., Корсунська Н.О., Кушніренко В.І., Венгер Є.Ф.
General problems of theoretical physics / Загальні питання теоретичної фізики
13
Electron Energy Band Structure of GaN and InN Evaluated within the Mixed Basis Approach with a New Exchange-energy Functional
Syrotyuk S.V.
Ukr. J. Phys. 2009, Vol. 54, N 12, p.1241-1244
Електронна енергетична структура нітридів галію та індію, отримана у змішаному базисі з новим функціоналом обмінної енергії
Сиротюк С.В.